YLN04-0812C1
主要特性
n 工作頻率 : 8 GHz 到 12 GHz
n 單電源結構
n 噪聲系數 : 1.1 dB
n 增益 > 32 dB
n 增益平坦度 : +/- 0.8dB
n 輸出 P1dB: 10 dBm
n OIP3 : 20dBm
n 輸入回波損耗 : 12 dB
n 輸出回波損耗: 12 dB Power
n 電源: 55 mA @ 5 V
n 芯片尺寸 = 2.4 mm x 1.56mm
描述
YLN04-0812C1是一款高性能GaAs單極供電低噪聲放大器MMIC，主要用于X 波段。
YLN04-0812C1 具有超低噪聲系數1.1 dB，其最小增益為32 dB。芯片上的匹配提供優(yōu)于12 dB的輸入和輸出回波損耗。主要用于雷達、通信和儀器儀表應用。
該芯片采用130nm砷化鎵pHEMT工藝制造；采用金線(xiàn)鍵合焊盤(pán)、背面金屬化、氮化硅鈍化層，芯片擁有最高級別可靠性，滿(mǎn)足航天級應用。
應用領(lǐng)域
n 雷達
n 通信
n 儀器儀表
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