YLN08-0812C2
主要特性
n 工作頻段: 8 GHz to 12 GHz
n 噪聲系數 < 1.2dB
n 增益: 28dB
n 增益平坦度: +/-0.5dB
n 輸出 P1dB>13dBm
n 輸入駐波<1.5dB
n 輸出駐波<1.5dB
n 電源：59mA@4V
n 芯片尺寸2.0mm x 1.1mm
描述
YLN08-0812C2 是一款高性能 GaAs 低噪放 MMIC芯片 ，工作與X波段。
YLN08-0812C2 擁有 1.2 dB的超低噪聲系數和最小28 dB 的增益.，該芯片能提供優(yōu)于 15 dB的輸入輸出回波損耗。它能用于雷達、電信通訊、儀器儀表等領(lǐng)域。
該芯片采用PHEMT工藝制造。
應用領(lǐng)域
n 雷達
n 電信通訊
n 儀器儀表
上一條：YLN10-0001C1
下一條：YLN104-0612C1
