YCC03-08126C2
主要特性
n 工作頻率：8 GHz到12 GHz
n 增益Tx/Rx：7.5-10dB [ATT（-3V）調節后5.5-7.5dB]
n 接收輸出P-1：≥11dB
n 發(fā)射輸出P-1：≥11dB
n 移相范圍：0-354.375°，步進(jìn)5.625°
n 移相精度：<3.5°(RMS)
n 移相幅度波動(dòng)：±1.2dB
n 衰減范圍：0-31.5dB，步進(jìn)0.5dB
n 衰減精度：<0.5dB(RMS)
n 衰減相位波動(dòng)：±5[0-24dB]，±10[24-31.5dB]
n 工作電壓：VD1/VD2/VD3/VDN=3.3V，
VSN/VSS=-3V
n 控制方式：串口控制
n 工作電流：Is≤30（VS）Id≤90（VD）
n 
芯片尺寸：3.80mm x4.70mm
描述
YCC03-08126C2是一款工作于 X 波段的高性能GaAsMMICT/R 6 位Core Chip，具有3個(gè)射頻端口，包括3 個(gè)開(kāi)關(guān)。該芯片包括了一個(gè)6 位移相器、一個(gè)6 位衰減器和多個(gè)開(kāi)關(guān)。相移范圍為360°，增益調節范圍為 31.5dB。其工作頻率為8GHz到12GHz，主要用于雷達、通信和儀器儀表應用。
片上邏輯控制串行輸入寄存器，減少了焊盤(pán)數量，并且簡(jiǎn)化了設備接口。
該芯片采用PHEMT工藝制造。
應用領(lǐng)域
n 雷達
n 通信
n 儀表
上一條：YCC03-0812SC1
下一條：YCC04-0812SC2
