? 工作電源電壓:3.3V
? 工作頻率范圍:32GHz-38GHz
? 6位衰減控制位,步進(jìn)0.5dB
? 6位移相控制位,步進(jìn)5.6°
? 接收增益:24dB@35GHz(RFn端口到COM端
口)
? 發(fā)射線(xiàn)性增益:28dB@35GHz(COM端口到
RFn端口)
? 收發(fā)帶內增益平坦度:<2dB
? 端口駐波比VSWR:<1.9
? 接收噪聲系數NF:<5.6dB
? 接收輸入P-1dB:>-31dBm
? 發(fā)射輸出P-1dB:>19dBm
? 發(fā)射輸出Psat:>21dBm
? RMS相移誤差:<3.5°
? 移相時(shí)幅度一致性:<±0.8dB
? 衰減精度:<0.2+5%Ai
? RMS衰減誤差:<0.9dB
? 衰減附加相移:<±8°
? 收發(fā)切換時(shí)間:<100ns
? 單通道工作電流:64mA/140(360)mA/27mA
@接收/靜態(tài)(21dBm飽和)發(fā)射/負載
? 裸芯尺寸:4.875mm×4.471mm
? 工藝:SiGe BiCMOS
該芯片是一款Ka波段四通道多功能芯片。3.3V電源供電,工作頻率范圍32GHz~38GHz,芯片內部集成低噪聲放大器,功率放大器,射頻前端開(kāi)關(guān),6位數控衰減器,6位數控移相器,功分器,波束控制等模塊,可提供最大31.5dB的衰減范圍,步進(jìn)0.5dB,以及360°的移相范圍,步進(jìn)5.6°。芯片裸片尺寸約為4.875mm × 4.471mm。