YLN36-0812C1
主要特性
n 工作頻段：8GHz to 12GHz
n 射頻增益：32dB
n 輸出 P1dB：11.5dBm
n 噪聲系數：1.0dB
n 供電方式： 31mA @+5V
n 芯片尺寸：2.50mm×1.40mm
描述
YLN36-0812C1是一款高性能砷化鎵低噪放 MMIC芯片 ，工作頻率為8-12GHz。YLN36-0812C1通帶內噪聲系數為0.9dB，射頻增益是32dB，P1dB是11.5dBm。
芯片采用GaAs工藝生產(chǎn)，芯片尺寸為2.5mm×1.4mm×0.1mm。
應用領(lǐng)域
n 衛星通訊
n 雷達
上一條：YLN03-0507C1
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