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YLN30-0206C1
主要特性

?工作頻段:2GHz to6GHz

?射頻增益:24.8dB

?增益平坦度: ±0.7dB

?輸出 P 1dB :12dBm

?噪聲系數≤1.2dB

?供電方式: 37mA @+5V

?輸入/出匹配阻抗:50Ω

?芯片尺寸:1.90mm×0.95m




描述

YLN30-0206C1 是一款高性能砷化鎵低噪放 MMIC 芯片 ,工作頻率為:2-6GHz。YLN30-0206C1 通帶內噪聲系數為 1.2dB,射頻增益是 24.8dB ;廣泛應用于雷達、電信通訊、儀器儀表等領(lǐng)域。

該芯片采用砷化鎵 pHEMT 工藝制造;采用金線(xiàn)鍵合焊盤(pán)、背面金屬化、氮化硅鈍化層,芯片可靠性滿(mǎn)足航天級應用。



應用領(lǐng)域

n  通訊

n  衛星通訊


上一條:YLN03-0507C1
下一條:YLN104-0612C1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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