YLN25-0204C1
主要特性
?工作頻段：2.7GHz to 3.5GHz
?射頻增益：28.6~29.4dB (低噪聲模式) /18.9~20.1dB (大動(dòng)態(tài)模式)
?輸出 P 1dB ：11.8~14dBm (低噪聲模式) /18.8~19.3dBm (大動(dòng)態(tài)模式)
?噪聲系數：0.8~0.95dB (低噪聲模式) /1.35~1.45dB (大動(dòng)態(tài)模式)
?供電方式： 60mA（單路）/120mA（兩路）@+5V（低噪聲模式）
73mA（單路）/146mA（兩路）@+5V（大動(dòng)態(tài)模式）
?輸入/出匹配阻抗：50Ω
?芯片尺寸：2.00mm x 1.90mm
描述
YLN25-0204C1是一款高性能砷化鎵雙模雙通道低噪放MMIC 芯片 ，工作頻率為:2.7-3.5GHz。YLN25-0204C1 通帶內低噪聲模式的噪聲系數為0.8~0.95dB，射頻增益是 28.6~29.4dB；大動(dòng)態(tài)模式的射頻增益是 18.9~20.1dB，P1dB 是 18.8~19.3dBm；廣泛應用于雷達、電信通訊、儀器儀表等領(lǐng)域。該芯片采用砷化鎵 pHEMT 工藝制造；采用金線(xiàn)鍵合焊盤(pán)、背面金屬化、氮化硅鈍化層，芯片可靠性滿(mǎn)足航天級應用。
應用領(lǐng)域
n 通訊
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